【聚焦河北数字经济发展】同光晶体：助力“中国芯”关键材料自主可控

　　长城网9月28日讯（记者 李代姣）“今年前8个月，同光晶体实现供货量1.1万片，销售收入超过1亿元，是2019年全年的9倍。”在9月28日举行的河北省数字经济发展大会上，河北同光晶体有限公司董事长郑清超说。

　　今年，我国持续密集部署新基建，在5G基站、新能源汽车充电桩、大数据中心、人工智能等新基建建设领域中，以碳化硅单晶作衬底生产的芯片被广泛应用。碳化硅单晶作为第三代半导体材料的核心代表，处在碳化硅产业链的最前端，是高端芯片产业发展的基础和关键。

技术人员正在清洗加工晶片。

　　“当前，我国拥有全球最大的半导体市场，并且需求在持续攀升。可是，半导体芯片仍依赖进口。”在接受记者采访时，郑清超反复强调，芯片这种“卡脖子”的核心产业决不能受制于人，必须要有主动权。

　　掌握主动权，就一定要在核心技术领域实现自主研发，而关键，就在人才。

　　早在2014年，同光晶体即设立院士工作站，为企业提供技术指导和战略咨询，同时大胆采取绩效奖励、股权激励等创新举措，不断激发技术骨干创新活力。

质量检测中心，技术人员严格检查产品各项参数。

　　另一方面，充分利用京津冀创新资源，同光晶体与中国科学院半导体研究所共建SiC单晶材料与应用研究联合实验室、联合搭建第三代半导体材料联合研发中心，联合中科院半导体所、清华大学、北京大学、河北工业大学、河北大学，主导搭建第三代半导体材料检测平台……一系列高端科研创新平台的搭建为同光晶体持续创新奠定了重要基础。

　　有了坚实的人才和技术支撑，接下来就是把技术转化为产品。

技术人员在监测晶体生长情况。

　　物理气相传输法生长碳化硅单晶是目前生长大尺寸、高质量碳化硅单晶的最好方法之一。但由于该方法需要控制的工艺参数较多，对晶体中的缺陷控制比较困难，拥有成套的高质量单晶生长工艺设备就显得尤为关键。

　　“核心设备必须拥有自主知识产权！”清醒意识到这一点，同光晶体投入巨大的研发和技改成本，近两年间系统改造6次，总费用1000余万元。

　　经过上万次试验，高纯碳化硅原料合成、晶型和结晶质量控制、籽晶特殊处理等一个个关键技术难题被攻克，同光晶体研发团队不断突破技术瓶颈，已经形成了具备自主知识产权的完整技术体系，被授予专利70余项，主持行业标准1项。目前，同光晶体研发产品已涵盖直径4-6英寸导电型和高纯半绝缘型碳化硅单晶。经检测，各项技术指标均达到世界先进水平，晶片质量可媲美欧美同类产品，填补了国内高端晶片的市场空白。

4英寸N型晶片。

　　坚持创新，也为同光晶体带来了丰硕回报。目前，企业与中国电子科技集团下属研究所建立了稳定的合作关系，今年6月份实现月供货量2000片。企业生产的高品质碳化硅单晶衬底成功应用在5G基建建设中，助力实现我国芯片关键材料的完全自主可控。

　　“3月22日，同光晶体与涞源县政府签订年产10万片直径4-6英寸碳化硅单晶衬底项目，投资建设500台单晶生长炉，今年年底将完成基础设施建设，明年6月将投产运行。”郑清超表示，同光晶体将在2021年筹划推进下一个2000-3000台单晶生长炉厂区建设，预计2022年一期项目投产运行，2025年完成全部设备投资，力争成为全球最重要的碳化硅单晶衬底供应商。